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NID9N05ACLT4G

NID9N05ACLT4G

MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
Numero di parte
NID9N05ACLT4G
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
DPAK
Dissipazione di potenza (massima)
1.74W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
52V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
9A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 9A, 12V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 40V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
3V, 12V
Vg (massimo)
±15V
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