Acquista ON Semiconductor NDT01N60T1G MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223

L'immagine può essere rappresentativa.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.

Schede tecniche

NDT01N60T1G

MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223

Numero di parte

NDT01N60T1G

Produttore/Marchio

ON Semiconductor

Serie

Stato della parte

Obsolete

Confezione

Digi-Reel®

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo del fornitore

SOT-223 (TO-261)

Dissipazione di potenza (massima)

2.5W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

400mA (Tc)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

8.5 Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

3.7V @ 50µA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

7.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 25V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

10V

Vg (massimo)

±30V

Richiedi preventivo

Completa tutti i campi obbligatori e fai clic su INVIA, ti contatteremo entro 12 ore via e-mail. In caso di problemi, lascia messaggi o invia un'e-mail a [email protected]ì, ti risponderemo il prima possibile.

In magazzino 28108 PCS

Informazioni sui contatti

Prodotti correlati