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IRFM120ATF
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
Numero di parte
IRFM120ATF
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-223-4
Dissipazione di potenza (massima)
2.4W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
2.3A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 1.15A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
22nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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