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FQT7N10LTF
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Numero di parte
FQT7N10LTF
Produttore/Marchio
Serie
QFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-223-4
Dissipazione di potenza (massima)
2W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
1.7A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
6nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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