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FQD4N20TM
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
Numero di parte
FQD4N20TM
Produttore/Marchio
Serie
QFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
D-Pak
Dissipazione di potenza (massima)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
3A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
6.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
220pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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