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FQB50N06LTM
MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
Numero di parte
FQB50N06LTM
Produttore/Marchio
Serie
QFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
D²PAK (TO-263AB)
Dissipazione di potenza (massima)
3.75W (Ta), 121W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
52.4A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 26.2A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
32nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1630pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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