ON Semiconductor
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FQA65N20
Schede tecniche

FQA65N20

MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
Numero di parte
FQA65N20
Produttore/Marchio
ON Semiconductor
Serie
QFET®
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-3PN
Dissipazione di potenza (massima)
310W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
65A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
200nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
7900pF @ 25V
Vg (massimo)
±30V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
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