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FDV302P
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Numero di parte
FDV302P
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-23
Dissipazione di potenza (massima)
350mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
25V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
120mA (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
0.31nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
11pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
2.7V, 4.5V
Vg (massimo)
±8V
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