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FDT457N

FDT457N

MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223
Numero di parte
FDT457N
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-223-4
Dissipazione di potenza (massima)
3W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
5A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
5.9nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
235pF @ 15V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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Parole chiave di FDT457N
FDT457N Componenti elettronici
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