ON Semiconductor
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FDS5670
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FDS5670

MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
Numero di parte
FDS5670
Produttore/Marchio
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SO
Dissipazione di potenza (massima)
2.5W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
10A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
70nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 15V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
6V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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