ON Semiconductor
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FDP027N08B-F102
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FDP027N08B-F102

MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
Numero di parte
FDP027N08B-F102
Produttore/Marchio
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-220-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-220-3
Dissipazione di potenza (massima)
246W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
80V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
120A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
2.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
178nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
13530pF @ 40V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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