ON Semiconductor
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FDG6308P
Schede tecniche

FDG6308P

MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6
Numero di parte
FDG6308P
Produttore/Marchio
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Potenza: max
300mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
SC-70-6
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
600mA
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
153pF @ 10V
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