ON Semiconductor
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FDG6301N
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FDG6301N

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
Numero di parte
FDG6301N
Produttore/Marchio
ON Semiconductor
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Potenza: max
300mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
SC-70-6
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
25V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
220mA
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
4 Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
9.5pF @ 10V
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