ON Semiconductor
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FDFME2P823ZT
Schede tecniche

FDFME2P823ZT

MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Numero di parte
FDFME2P823ZT
Produttore/Marchio
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo del fornitore
6-MicroFET (1.6x1.6)
Dissipazione di potenza (massima)
1.4W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
Schottky Diode (Isolated)
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
2.6A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
142 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
7.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
405pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.8V, 4.5V
Vg (massimo)
±8V
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