ON Semiconductor
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FDFM2N111
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FDFM2N111

MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
Numero di parte
FDFM2N111
Produttore/Marchio
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-MLP, Power33
Pacchetto dispositivo del fornitore
MicroFET 3x3mm
Dissipazione di potenza (massima)
1.7W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
Schottky Diode (Isolated)
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
3.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
273pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
2.5V, 4.5V
Vg (massimo)
±12V
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