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FCP650N80Z
MOSFET N-CH 800V 10A
Numero di parte
FCP650N80Z
Produttore/Marchio
Serie
SuperFET® II
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-220-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-220
Dissipazione di potenza (massima)
162W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
800V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
10A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4.5V @ 800µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
35nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1565pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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