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EMD4DXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Numero di parte
EMD4DXV6T1G
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SOT-563, SOT-666
Potenza: max
500mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-563
Tipo di transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
500nA
Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Frequenza - Transizione
-
Resistore - Base (R1)
47 kOhms, 10 kOhms
Resistore - Base emettitore (R2)
47 kOhms
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EMD4DXV6T1G Componenti elettronici
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