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EFC6601R-TR
MOSFET 2N-CH EFCP
Numero di parte
EFC6601R-TR
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-XFBGA, FCBGA
Potenza: max
2W
Pacchetto dispositivo del fornitore
EFCP2718-6CE-020
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
-
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
-
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
-
Vgs(esimo) (Max) @ Id
-
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
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