ON Semiconductor
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BS170
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BS170

MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
Numero di parte
BS170
Produttore/Marchio
ON Semiconductor
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Bulk
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-92-3
Dissipazione di potenza (massima)
830mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
500mA (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
40pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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