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PHM12NQ20T,518
MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
Numero di parte
PHM12NQ20T,518
Produttore/Marchio
Serie
TrenchMOS™
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-VDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-HVSON (6x5)
Dissipazione di potenza (massima)
62.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
14.4A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
26nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1230pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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