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PMPB215ENEAX
MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
Numero di parte
PMPB215ENEAX
Produttore/Marchio
Serie
Automotive, AEC-Q101
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo del fornitore
DFN2020MD-6
Dissipazione di potenza (massima)
1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
80V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
1.9A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
7.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
215pF @ 40V
Vg (massimo)
±20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
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