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PMPB10XNE,115
MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
Numero di parte
PMPB10XNE,115
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo del fornitore
6-DFN2020MD (2x2)
Dissipazione di potenza (massima)
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
9A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
34nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2175pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.8V, 4.5V
Vg (massimo)
±12V
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