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PMPB20XNEAZ
MOSFET N-CH 20V SOT1220
Numero di parte
PMPB20XNEAZ
Produttore/Marchio
Serie
Automotive, AEC-Q101
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo del fornitore
DFN2020MD-6
Dissipazione di potenza (massima)
460mW (Ta), 12.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
7.5A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
930pF @ 10V
Vg (massimo)
±12V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
2.5V, 4.5V
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