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PMN50EPEX
PMN50EPE/SOT457/SC-74
Numero di parte
PMN50EPEX
Produttore/Marchio
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo del fornitore
6-TSOP
Dissipazione di potenza (massima)
560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
4.6A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
793pF @ 15V
Vg (massimo)
±20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
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