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PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Numero di parte
PMDXB600UNEZ
Produttore/Marchio
Serie
TrenchFET®
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-XFDFN Exposed Pad
Potenza: max
265mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
6-DFN (1.1x1)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
600mA
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
21.3pF @ 10V
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