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PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Numero di parte
PMDXB550UNEZ
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-XFDFN Exposed Pad
Potenza: max
285mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
DFN1010B-6
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Standard
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
590mA
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
670 mOhm @ 590mA, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
1.05nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
30.3pF @ 15V
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