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LN60A01EP-LF
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP
Numero di parte
LN60A01EP-LF
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
temperatura di esercizio
-20°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Potenza: max
1.3W
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-PDIP
Tipo FET
3 N-Channel, Common Gate
Funzionalità FET
Standard
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
80mA
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
190 Ohm @ 10mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
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LN60A01EP-LF Componenti elettronici
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