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APTM20UM05SG
MOSFET N-CH 200V 317A J3
Numero di parte
APTM20UM05SG
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Discontinued at Digi-Key
Confezione
Bulk
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto/custodia
J3 Module
Pacchetto dispositivo del fornitore
Module
Dissipazione di potenza (massima)
1136W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
317A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
448nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
27400pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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