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APTM100A23SCTG
MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Numero di parte
APTM100A23SCTG
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Bulk
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto/custodia
SP4
Potenza: max
694W
Pacchetto dispositivo del fornitore
SP4
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Funzionalità FET
Silicon Carbide (SiC)
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1000V (1kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
36A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 5mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
308nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
8700pF @ 25V
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