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APTM120SK56T1G

APTM120SK56T1G

MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Numero di parte
APTM120SK56T1G
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Bulk
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto/custodia
SP1
Pacchetto dispositivo del fornitore
SP1
Dissipazione di potenza (massima)
390W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
18A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
672 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
300nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
7736pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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Parole chiave di APTM120SK56T1G
APTM120SK56T1G Componenti elettronici
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