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APTM120DA29TG
MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
Numero di parte
APTM120DA29TG
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Bulk
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto/custodia
SP4
Pacchetto dispositivo del fornitore
SP4
Dissipazione di potenza (massima)
780W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
34A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 5mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
374nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
10300pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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