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APTM100U13SG
MOSFET N-CH 1000V 65A J3
Numero di parte
APTM100U13SG
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Discontinued at Digi-Key
Confezione
Bulk
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto/custodia
J3 Module
Pacchetto dispositivo del fornitore
Module
Dissipazione di potenza (massima)
1250W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
65A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
145 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
2000nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
31600pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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