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APTM100H35FT3G
MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
Numero di parte
APTM100H35FT3G
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Bulk
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto/custodia
SP3
Potenza: max
390W
Pacchetto dispositivo del fornitore
SP3
Tipo FET
4 N-Channel (H-Bridge)
Funzionalità FET
Standard
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1000V (1kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
22A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
186nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
5200pF @ 25V
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