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APT5010B2LLG

APT5010B2LLG

MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
Numero di parte
APT5010B2LLG
Produttore/Marchio
Serie
POWER MOS 7®
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-247-3 Variant
Pacchetto dispositivo del fornitore
T-MAX™ [B2]
Dissipazione di potenza (massima)
520W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
500V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
46A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 23A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
95nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4360pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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Parole chiave di APT5010B2LLG
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