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VN10KN3-G-P002
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Numero di parte
VN10KN3-G-P002
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-92-3
Dissipazione di potenza (massima)
1W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
310mA (Tj)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
5V, 10V
Vg (massimo)
±30V
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