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LN100LA-G
MOSFET 2N-CH 1200V
Numero di parte
LN100LA-G
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-25°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-VFLGA
Potenza: max
350mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
6-LFGA (3x3)
Tipo FET
2 N-Channel (Cascoded)
Funzionalità FET
Standard
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
-
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
3000 Ohm @ 2mA, 2.8V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.6V @ 10µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V
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