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SI2306-TP
N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
Numero di parte
SI2306-TP
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-23
Dissipazione di potenza (massima)
750mW
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
3.16A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
4.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
305pF @ 15V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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