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MCCD2007-TP

MCCD2007-TP

MOSFET 2N-CH 20V 7A
Numero di parte
MCCD2007-TP
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-WFDFN Exposed Pad
Potenza: max
-
Pacchetto dispositivo del fornitore
DFN2030-6
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzionalità FET
Standard
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
7A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1150pF @ 10V
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