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MA4AGBLP912
ALGAAS BEAM LEAD PIN DIODE
Numero di parte
MA4AGBLP912
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tray
temperatura di esercizio
-65°C ~ 125°C (TJ)
Pacchetto/custodia
-
Pacchetto dispositivo del fornitore
-
Corrente: max
40mA
Tipo di diodo
PIN - Single
Tensione - Picco inverso (max)
50V
Capacità @ Vr, F
0.03pF @ 5V, 1MHz
Resistenza @ Se, F
4.9 Ohm @ 20mA, 1GHz
Dissipazione di potenza (massima)
-
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