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LSIC1MO120E0120
SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3
Numero di parte
LSIC1MO120E0120
Produttore/Marchio
Stato della parte
Active
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-247-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-247-3
Dissipazione di potenza (massima)
139W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
27A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 14A, 20V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 7mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
80nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1125pF @ 800V
Vg (massimo)
+22V, -6V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
20V
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