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VMO650-01F
MOSFET N-CH 100V 690A MODULE
Numero di parte
VMO650-01F
Produttore/Marchio
Serie
HiPerFET™
Stato della parte
Active
Confezione
Bulk
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto/custodia
Y3-DCB
Pacchetto dispositivo del fornitore
Y3-DCB
Dissipazione di potenza (massima)
2500W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
690A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.8 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
6V @ 130mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
2300nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
59000pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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