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IXTQ30N60P
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
Numero di parte
IXTQ30N60P
Produttore/Marchio
Serie
PolarHV™
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-3P
Dissipazione di potenza (massima)
540W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
30A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
82nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
5050pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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