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IXTQ110N055P

IXTQ110N055P

MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
Numero di parte
IXTQ110N055P
Produttore/Marchio
Serie
PolarHT™
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-3P
Dissipazione di potenza (massima)
390W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
55V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
110A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
13.5 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
76nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2210pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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Parole chiave di IXTQ110N055P
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