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IXTM12N100
POWER MOSFET TO-3
Numero di parte
IXTM12N100
Produttore/Marchio
Serie
GigaMOS™
Stato della parte
Last Time Buy
Confezione
-
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-204AA, TO-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-204AA
Dissipazione di potenza (massima)
300W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
12A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
170nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4000pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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