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IXFY30N25X3

IXFY30N25X3

MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA
Numero di parte
IXFY30N25X3
Produttore/Marchio
Serie
HiPerFET™
Stato della parte
Active
Confezione
-
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-252AA
Dissipazione di potenza (massima)
176W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
250V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
30A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4.5V @ 500µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1450pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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Parole chiave di IXFY30N25X3
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