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IXFN180N25T

MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

Numero di parte

IXFN180N25T

Produttore/Marchio

IXYS

Serie

GigaMOS™

Stato della parte

Active

Confezione

Tube

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto/custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo del fornitore

SOT-227B

Dissipazione di potenza (massima)

900W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

168A (Tc)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

12.9 mOhm @ 60A, 10V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

345nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

28000pF @ 25V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

10V

Vg (massimo)

±20V

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