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IXFN100N10S1
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Numero di parte
IXFN100N10S1
Produttore/Marchio
Serie
HiPerFET™
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto/custodia
SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-227B
Dissipazione di potenza (massima)
360W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
100A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
180nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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