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IXFN170N10

MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B

Numero di parte

IXFN170N10

Produttore/Marchio

IXYS

Serie

HiPerFET™

Stato della parte

Active

Confezione

Tube

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto/custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo del fornitore

SOT-227B

Dissipazione di potenza (massima)

600W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

170A (Tc)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

515nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10300pF @ 25V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

10V

Vg (massimo)

±20V

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