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SPB20N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
Numero di parte
SPB20N60C3ATMA1
Produttore/Marchio
Serie
CoolMOS™
Stato della parte
Not For New Designs
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TO263-3-2
Dissipazione di potenza (massima)
208W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
20.7A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
114nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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