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SPB100N03S203T

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

Numero di parte

SPB100N03S203T

Produttore/Marchio

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Stato della parte

Obsolete

Confezione

Tape & Reel (TR)

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo del fornitore

PG-TO263-3-2

Dissipazione di potenza (massima)

300W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

100A (Tc)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

3 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

150nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7020pF @ 25V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

10V

Vg (massimo)

±20V

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